108 pubblicazioni classificate nel seguente modo:

Holographic grating formation in dye doped polymer dispersed liquid crystals
OPTICS COMMUNICATIONS
Autore/i: Cipparrone, G.; Mazzulla, A.; Nicoletta, F. P.; Lucchetti, Liana; Simoni, Francesco
Classificazione: 1 Contributo su Rivista
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/51534

Recording of permanent holographic gratings in liquid crystals
IEEE Nonlinear Optics: Materials, Fundamentals and Applications - Conference Proceedings
Autore/i: Simoni, Francesco; Francescangeli, Oriano; Lucchetti, Liana; S., Slussarenko; Y., Reznikov
Classificazione: 4 Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
Abstract: A method is developed which is successful in exploiting binary image writing. By exploiting the high sensitivity of a medium, permanent recording are achieved by using a single pulse of the second harmonic of a Nd:YAG laser. The dye-doped liquid crystals are demonstrated to possess very interesting storage capabilities: no image degradation after more than one year, high spatial resolution, high sensitivity, and polarization sensitivity.
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/52799

Elastic deformation in epitaxial Si1-XGeX alloys grown in three-dimensional mode on Si(001).
Proceedings of 11th European Congress on Microscopy (EUREM96).
Autore/i: Barucca, Gianni; Lucchetti, Liana; G., Majni; Mengucci, Paolo
Classificazione: 4 Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/53821

Strain relaxation through islands formation in epitaxial SiGe thin films
APPLIED SURFACE SCIENCE
Autore/i: Barucca, Gianni; Lucchetti, Liana; Majni, Giuseppe; Mengucci, Paolo; R., Murri; N., Pinto
Classificazione: 1 Contributo su Rivista
Abstract: The mechanisms of strain relaxation and island formation have been investigated by transmission electron microscopy techniques in highly strained Si-Ge thin films. Furthermore the distribution of the strain field inside the substrate in proximity of the interface has been studied and qualitative information has been drawn. Results have shown that the substrate takes part to the relaxation process and that the strain field is mainly concentrated underneath islands with the higher values of the strain gradient located near the edges of each island.
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/52107

Growth of Si1-xGex alloys by MBE
Materials science forum
Autore/i: N., Pinto; R., Murri; L., Trojani; G., Majni; Mengucci, Paolo; Lucchetti, Liana
Editore: Trans Tech Publications Limited:Brandrain 6, CH 8037 Uetikon Switzerland:011 41 1 9221022, EMAIL: ttp@ttp.net, INTERNET: http://www.ttp.net, Fax: 011 41 1 9221033
Classificazione: 4 Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/33856

Islands formation in Si1-xGex thin films deposited by MBE
VUOTO
Autore/i: Lucchetti, Liana; G., Majni; Mengucci, Paolo; R., Murri; N., Pinto; L., Troiani
Editore: Patron Editore:Via Badini 12, I 40050 Quarto Inferiore Bologna Italy:011 39 051 767003, EMAIL: abbonamenti@patroneditore.com, info@patroneditore.com, INTERNET: http://www.patroneditore.com, Fax: 011 39 051 768252
Classificazione: 1 Contributo su Rivista
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/34221

Effects of strain in highly strained Si-Ge thin films
Atti del XX Congresso di Microscopia Elettronica
Autore/i: Lucchetti, Liana; G., Majni; Mengucci, Paolo; N., Pinto
Classificazione: 4 Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/45969

Islands formation conditions in silicon-germanium alloys grown by MBE
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Autore/i: R. MURRI N., Pinto; L., Trojani; Lucchetti, Liana; Majni, Giuseppe; Mengucci, Paolo
Classificazione: 1 Contributo su Rivista
Scheda della pubblicazione: https://iris.univpm.it/handle/11566/51284